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本发明公开了一种PMOS制造工艺中减少e‑SiGe晶格缺陷的方法，其包括对硅片的硅衬底形貌刻蚀并清洗；外延生长前的预清洗；将硅片放入外延生长机台的刻蚀腔室，对硅片进行干法刻蚀，以去除自然氧化层；将硅片放入外延工艺腔室，对硅片进行SiGe外延...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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