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本发明公开一种非挥发性存储器结构和阵列，所述非挥发性存储器结构包括在基板中的第一有源区上的第一PMOS晶体管和第一浮置栅晶体管、在基板中的第二有源区上的第二PMOS晶体管和第二浮置栅晶体管、以及在基板中的n型抹除区。源极线连接第一和第二PM...
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