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公开了一种三维半导体存储器装置和垂直非易失性存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括交替地且竖直地堆叠在基底上的第一电极和第二电极，并且在连接区域上具有阶梯状结构。第一电极和第二电极中的每个...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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