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一种半导体器件包括n沟道、p沟道、第一介栅极介电层、第二栅极介电层、第一金属栅电极和第二金属栅电极。n沟道和p沟道由不同的材料制成。第一栅极介电层存在于n沟道的至少相对的两侧壁上。第二栅极介电层存在于p沟道的至少相对的两侧壁上。第一金属栅电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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