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本发明公开了一种CMOS器件和CMOS反相器。CMOS器件包括：衬底，其具有在第一方向上延伸且由器件隔离层限定的有源线，所述衬底被划分为NMOS区、PMOS区以及介于NMOS区与PMOS区之间且具有器件隔离层而不具有有源线的边界区；栅线，其...
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