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本发明涉及一种利用局部互连缩小标准单元库面积的版图设计方法，标准单元版图中晶体管单元高度不变，将以接触孔做源、漏端的连线口，替换为半导体多晶硅POLY2做源、漏端的连线口，POLY2在栅GT的侧面有一层侧壁隔离膜，POLY2与源、漏端的有源...
该专利属于上海理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海理工大学授权不得商用。

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