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本发明提供一种半导体器件的制造方法，从工艺整合的角度考量，优化工艺顺序和流程，在待研磨层表面上淀积缓冲层之后，先至少在第二区和第一区交界区域形成用于保护的缓冲层，然后对所述第一区的待研磨层进行减薄，交界区域的待研磨层由于缓冲层的阻挡而得以完...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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