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存储阵列制造技术
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文档序号:15879350
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本发明公开了一种存储阵列,存储阵列包括复数个存储分页,每一存储分页包括复数个存储比特组,每一存储比特组包括复数个存储单元。每一存储单元包括浮接栅极模块、控制元件及清除元件。位在同一行的复数个存储比特组耦接至相同的清除线,而位在相异行的复数个...
该专利属于力旺电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力旺电子股份有限公司授权不得商用。
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