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本发明提供了一种非易失性存储器，其包括其中页缓冲器按照矩阵形式排列的页缓冲器阵列。本发明还提供了一种操作非易失性存储器的方法，其包括：根据操作模式从页缓冲器阵列的多列中选择列；对存储在包含于选择的列中的页缓冲器中的失效比特计数；以及基于失效...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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