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制造半导体器件的方法可以包括：分别在基板的有源区中和测量区中形成第一鳍图案和第二鳍图案，测量区不同于有源区；形成分别交叉第一鳍图案和第二鳍图案的第一栅电极和第二栅电极；以及测量第二栅电极的接触电位差(Vcpd)以根据测量的接触电位差(Vcp...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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