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本公开提供了三维半导体器件。一种三维(3D)半导体器件包括：多个栅电极，在垂直于基板的顶表面的方向上层叠在基板上；沟道结构，穿过该多个栅电极并连接到基板；以及孔隙，设置在基板中并位于沟道结构下面。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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