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本发明公开了一种读取方法及闪存存储器装置，读取方法应用于闪存存储器装置，闪存存储器装置包括非易失性半导体存储单元阵列，包括：判断是否读取所述非易失性半导体存储单元阵列的全部存储单元，若是，则对所述全部存储单元相应字线施加电压，以进行第一次感...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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