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本发明公开了一种提高阻变存储器(RRAM)的擦(RESET)、写(SET)电压稳定性的方法，利用该种方法制备的阻变存储器包括顶电极、底电极，以及制备于该顶电极与该底电极之间的阻变介质层，且该阻变介质层利用多种氧化物制备成多层的复合结构来代替...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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