下载半导体存储器件的技术资料

文档序号:15824406

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本发明涉及半导体存储器件。一种半导体存储器件包括:包括第一单元阵列区域和外围区域的衬底;多个堆叠结构,其在第一单元阵列区域上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开;覆盖堆叠结构的绝缘层;以及至少一个分离结构,其在外围区域上...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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