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一种闪存单元结构包括半导体衬底、衬垫介电层、浮动栅极、控制栅极和阻挡层。在半导体衬底上设置衬垫介电层。在衬垫介电层上方设置浮动栅极，其中，浮动栅极具有与衬垫介电层相对的顶面，并且顶面包括在其上形成的至少一个凹槽。在浮动栅极的顶面上方设置控制...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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