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本发明涉及一种包括高k金属栅极(HKMG)非易失性存储器(NVM)器件的集成电路(IC)并且提供了小尺寸和高性能的IC及其形成方法。在一些实施例中，集成电路包括具有在衬底上方横向隔开的选择晶体管和控制晶体管的存储区。选择栅电极和控制栅电极分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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