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本发明提供一种三维非易失性存储器件及其制备方法，三维非易失性存储器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基板，于基板表面形成第一绝缘层和第一导电层交替叠置的第一叠层结构；2)于所述第一叠层结构的至少一侧形成与所述第一叠层结构平行间隔的第二叠层...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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