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本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括衬底、栅极结构、介电层、蚀刻停止层和粘合层。栅极结构形成在衬底上方。介电层形成在栅极结构旁边。粘合层覆盖栅极结构的顶面且延伸至介电层的第一顶面。蚀刻停止层在粘合层上方且与介电层的第二顶面接触。本发...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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