温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一源极区域、第二源极区域、第一漏极区域、和第二漏极区域的衬底。半导体器件结构包括位于衬底上方并且介于第一源极区域和第一漏极区域之间的第一栅极结构。半导体器件结构包括位于衬底上方...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。