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本发明涉及Ⅲ族‑N纳米线晶体管。Ⅲ族‑N纳米线设置于衬底上。纵向长度的纳米线被限定在第一Ⅲ族‑N材料的沟道区中，源极区与沟道区的第一端电耦合，并且漏极区与沟道区的第二端电耦合。在第一Ⅲ族‑N材料上的第二Ⅲ族‑N材料用作纳米线表面上的电荷诱导...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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