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本发明公开了一种三维存储器元件，包括多层叠层结构，多层叠层结构包括多个导电条带及多条沟道，以定义出第一、第二、第三和第四脊状叠层；位于第一脊状叠层上的第一串行选择线开关；位于第二脊状叠层上的第一接地选择线开关；第一U形存储单元串行，串接第一...
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