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本发明的实施例涉及一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括衬底、第一晶体管和第一图案化的导电层。第一晶体管具有在衬底中的源极区域、漏极区域以及在衬底上的栅极区域。第一图案化的导电层电连接至第一晶体管的漏极区域。第一图案化的导电层包括第一区段...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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