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沿非平面半导体鳍状物结构的一部分形成杂质源膜。所述杂质源膜可以用作杂质来源，所述杂质在从源膜扩散到所述半导体鳍状物中之后变得具有电活性。在一个实施例中，杂质源膜被设置为与设置在鳍状物的有源区与衬底之间的子鳍状物区的一部分的侧壁表面相邻，并且...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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