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本发明的内介电层制备方法，包括：在半导体器件衬底上沉积一层原始内介电层；对原始内介电层的顶部进行研磨，直至达到目标厚度；量测研磨后的原始内介电层的厚度，如果研磨后的原始内介电层的厚度小于目标厚度，则计算目标厚度与研磨后的内介电层的厚度的差值...
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