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本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、栅极、第一掺杂区和第二掺杂区。栅极在衬底上方。第一掺杂区和第二掺杂区在衬底中。第一掺杂区和第二掺杂区具有相同的导电类型且被栅极隔开。在基本垂直于限定在第一掺杂区和第二掺杂区之间的沟道长度L的方...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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