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本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；具有位于衬底上方的栅极和至少部分地位于衬底中的掺杂区域的晶体管区域；在晶体管区域上方的第一金属层；以及位于晶体管区域和第一金属层之间的磁性隧道结(MTJ)。本发明提供了一种用于制造半导体结构的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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