温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的实施例涉及包括高k金属栅极(HKMG)非易失性存储器(NVM)器件并且提供小规模和高性能的集成电路(IC)以及形成方法。在一些实施例中，集成电路包括逻辑区域和邻近逻辑区域设置的嵌入式存储区域。逻辑区域具有逻辑器件，逻辑器件设置在衬底...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。