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本发明提供了一种用于薄外延工艺ESD保护的SCR器件及其制备方法，属于超大规模集成电路静电放电保护技术领域。该SCR器件包含一个P+硅衬底和一个P‑外延层，P‑外延层中形成相邻接的N阱区域、P阱区域和深N阱层，两个阱区域中分别有N+、P+重...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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