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本实用新型的实施例涉及集成电路。一种集成电路包括：半导体衬底；绝缘层，覆盖所述半导体衬底；第一导电类型的半导体层，覆盖所述绝缘层；多个突起区域，相互隔开并且覆盖所述半导体层；以及PN结的序列，位于所述半导体层中，每个PN结位于相关联的突起区...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

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