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本发明涉及到一种半导体装置，包括在基板(6)中实施的具有各自宽度和深度的至少两个孔(18，20)，并且形成一种二极管(4)，其中，基板(6)具有确定的掺杂类型，而且，其中，掺杂每个孔(18，20)的内壁，使其掺杂类型与基板(6)掺杂不同，一...
该专利属于IPDIA公司所有，仅供学习研究参考，未经过IPDIA公司授权不得商用。

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