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本公开涉及导通状态阻抗降低的常闭型晶体管及其制造方法。其中，一种常闭型电子器件，包括：半导体本体(15)，包括在缓冲层(11)之上延伸的异质结构(7)；凹陷栅电极(14)，在与平面(XY)正交的方向(Z)上延伸；第一工作电极(16)和第二工...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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