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本公开内容致力于解决目前在形成了HKMG叠层之后IL中氧累积的问题。提供了一种通过在多个HK层之间形成至少一个钛(Ti)层来制造高k/金属栅极半导体器件的制造方法。还提供了一种在多个HK层之间包括至少一个TiO...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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