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本发明公开了一种垂直纳米线MOSFET的制造方法，包括：提供生长有第一层、第二层、第三层和第四层外延层的半导体衬底，其中，所述第一层、第二层和第三层为半导体材料,第二层不同于第一层和第三层；对所述第二层进行刻蚀，使得第二层相对于第一层和第三...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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