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本揭示揭露一种半导体装置。此半导体装置包含：鳍片结构，其在基板上；第一源极/漏极特征，其安置于鳍片结构上；第一导电层，其直接安置于第一源极/漏极区上；第一栅极，其安置于鳍片结构上方；第一间隔件，其包含沿第一栅极的第一侧安置的第一部分及沿第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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