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一种半导体器件包括：衬底，包括单元区、第一接触区和第二接触区；下层叠结构，从单元区在第二接触区之上延伸；上层叠结构，从单元区在第一接触区之上延伸，上层叠结构使第二接触区开放；N个第一组台阶型凹槽(N是2或更大的自然数)，穿通第一接触区中的上...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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