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本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法中，形成掺杂第一掺杂物的一掺杂层于一基底上。形成一半导体层于掺杂层上。通过至少图案化半导体层及掺杂层而形成一鳍结构，使鳍结构包括具有半导体层的沟道区及具有掺杂层的阱区。形成一隔离绝缘...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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