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本发明公开了一种低介电性胶膜及其制造方法，低介电性胶膜包括芯层、低介电胶层和离型层，芯层具有相对的上、下表面，低介电胶层是指Dk值＜2.3(10G Hz)且Df值＜0.002(10G Hz)的胶层，低介电胶层具有两层且分别为上低介电胶层和下...该专利属于昆山雅森电子材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山雅森电子材料科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种低介电性胶膜及其制造方法，低介电性胶膜包括芯层、低介电胶层和离型层，芯层具有相对的上、下表面，低介电胶层是指Dk值＜2.3(10G Hz)且Df值＜0.002(10G Hz)的胶层，低介电胶层具有两层且分别为上低介电胶层和下...