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半导体器件包括半导体衬底和半导体衬底上的半导体鳍，其中半导体鳍具有由两个单元共享的共同边界处的鳍隔离结构。鳍隔离结构具有从半导体鳍的顶部延伸至半导体衬底的部分的气隙。气隙将半导体鳍分为半导体鳍的两个部分。鳍隔离结构包括覆盖气隙的顶部的介电覆...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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