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公开了半导体装置和非易失性存储装置。垂直NAND型存储装置包括在下面的基底上按交替的顺序布置的栅极间绝缘层和栅电极的垂直堆叠，所述基底包括在其中的单元阵列区和接触区。提供了至少一个NAND型沟道结构，所述NAND型沟道结构穿过栅极间绝缘层和...
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