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一种半导体器件包括第一互连结构。第一互连结构包括第一互连部分、第二互连部分和第三互连部分。第一互连部分具有宽度和长度。第二互连部分的宽度小于第一互连部分的长度。第二互连部分连接至第一互连部分。第三互连部分的宽度小于第二互连部分的宽度。第三互...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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