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用于制造半导体装置的方法包括以下步骤：在第一鳍特征结构的上方形成第一栅极堆叠及在第二鳍特征结构的上方形成第二栅极堆叠；移除第一栅极堆叠以形成曝露第一鳍特征结构的第一栅极沟道，移除第二栅极堆叠以形成曝露第二鳍特征结构的第二栅极沟道；对第一鳍特...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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