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本发明提供了一种嵌入式锗硅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述该半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域和NMOS区域上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上沉积第一介质层；采用光刻和刻蚀工艺去除所述PMOS区域内的第一...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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