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本实用新型涉及一种多栅分布的沟槽栅超结MOSFET器件，包括元胞结构，其特征是：单个元胞包括N+衬底，在N+衬底的正面生长N－外延层，在N－外延层的正面沉积源极金属，形成MOSFET器件的源极；在所述N－外延层两侧形成由N－外延层正面向背面...
该专利属于无锡同方微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡同方微电子有限公司授权不得商用。

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