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一种FET，包括：多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸，包括高迁移率材料的沟道区以及沟道区两侧的源漏区；多个栅极堆叠，沿第二方向延伸，环绕每个沟道区；隔离层，位于衬底与沟道区之间，隔离层的宽度小于沟道区。依照本发明的高迁移率FET及其制作方法，...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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