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本实用新型揭示了一种电源芯片中MOSFET的测试电路,包括有被测MOSFET开关Q1和起到调制作用的PWM发生器,PWM发生器接在所述MOSFET开关Q1的G端,还包括有辅助电路,所述辅助电路包括有肖特基二极管D1、稳压二极管D2、P‑MO...该专利属于深圳市立能威微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市立能威微电子有限公司授权不得商用。
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