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本发明是一种改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，该存储单元由P型NVM存储单元及NBTI恢复电路组成，所述P型NVM存储单元为浮栅型架构或者为基于标准CMOS工艺的逻辑结构NVM存储单元。本发明在传统P型NVM存储单元的基础...
该专利属于苏州宽温电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州宽温电子科技有限公司授权不得商用。

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