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本发明为一种镍掺杂纳米氧化锡(Ni‑doped SnO2)粉体的制备方法，特别是涉及一种应用于纳米电接触领域的镍掺杂纳米氧化锡(Ni‑doped SnO2)粉体的制备方法。基于目前AgSnO2电接触材料在服役过程中容易出现两相分离、相偏析，...
该专利属于浙江工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江工业大学授权不得商用。

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