下载改进三维或非门闪存的栅极电容的结构与操作方法的技术资料

文档序号:14881736

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本发明实施例提供了一种改进的三维存储单元、阵列、装置及/或类似物以及其方法。该三维存储单元包括一第一导电层与一第三导电层。第三导电层与第一导电层分离。三维存储单元还包括一通道导电层。通道导电层连接第一导电层与第三导电层。通道导电层、第一导电...
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