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本发明的实施方式提供一种能够实现高耐压的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法是在第1SiC层上通过外延生长形成第1导电型的第2SiC层；在所述第2SiC层中选择性地离子注入第2导电型的第1杂质，而形成第2导电型的第1区域；去...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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