温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一叠层结构、一刻蚀阻挡结构、多个存储结构以及一第一填充切槽。基板具有一凹槽。叠层结构具有一水平延伸区及一垂直延伸区，垂直延伸区沿凹槽的一侧壁延伸，其中叠层结构包括多个导电层和多个...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。